IRF7240. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7240
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 490 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7240
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7240 даташит
irf7240.pdf
PD- 93916 IRF7240 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -40V 0.015@VGS = -10V -10.5A Surface Mount 0.025@VGS = -4.5V -8.4A Available in Tape & Reel A 1 8 Description S D These P-Channel MOSFETs from International 2 7 S D Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon 3 6
irf7240pbf.pdf
PD- 95253 IRF7240PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -40V 0.015@VGS = -10V -10.5A l Surface Mount 0.025@VGS = -4.5V -8.4A l Available in Tape & Reel l Lead-Free A 1 8 Description S D These P-Channel MOSFETs from International 2 7 S D Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistan
irf7240trpbf.pdf
IRF7240TRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested - 40 33 nC 0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Load Switch POL SO-8 G SD
irf7241.pdf
PD- 94087 IRF7241 HEXFET Power MOSFET ) ) ) ) Trench Technology VDSS RDS(on) max (m ) ID Ultra Low On-Resistance -40V 41@VGS = -10V -6.2A P-Channel MOSFET 70@VGS = -4.5V -5.0A Available in Tape & Reel A 1 8 S D Description 2 7 New trench HEXFET Power MOSFETs from D S International Rectifier utilize advanced processing 3 6 S D techniques to achieve ex
Другие IGBT... IRF5803D2, IRF5805, IRF5806, IRF6216, IRF6217, IRF6218, IRF6218S, IRF7210, 4N60, IRF7241, IRF7326D2, IRF7342D2, IRF7404Q, IRF7410, IRF7416Q, IRF7420, IRF7424
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44






