IRF7342D2 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF7342D2 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: SO8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRF7342D2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7342D2 даташит
irf7342d2.pdf
PD- 94101 IRF7342D2 TM FETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -55V 2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 105m S D Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.61V Top View Description The FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs and Schottky
irf7342d2pbf.pdf
PD- 94101A IRF7342D2 TM FETKY MOSFET & Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -55V 2 7 l Ideal For Buck Regulator Applications A K l P-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 105m S D l Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D l SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.61V Top View Description The FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs and Schottky
auirf7342q.pdf
PD - 97640 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8 S1 D1 V(BR)DSS -55V 150 C Operating Temperature 2 7 G1 D1 Fast Switching 3 6 S2 D2 RDS(on) max. 0.105 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 Lead-Free, RoHS Compliant ID -3.4A Top View Autom
irf7342.pdf
PD -91859 IRF7342 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 S1 D1 Ultra Low On-Resistance VDSS = -55V 2 7 Dual P-Channel Mosfet G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.105 Fast Switching Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniqu
Другие IGBT... IRF6216, IRF6217, IRF6218, IRF6218S, IRF7210, IRF7240, IRF7241, IRF7326D2, IRF1407, IRF7404Q, IRF7410, IRF7416Q, IRF7420, IRF7424, IRF7425, IRF7700G, IRF7701G
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K | BC2302W | BC2302T-2.8A | BC2302-2.8A | BC2301W | BC2301T-2.8A | CB3139KTB | CB2301DW
Popular searches
bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet










