Справочник MOSFET. IRF7342D2

 

IRF7342D2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7342D2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7342D2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7342D2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  international rectifier
irf7342d2.pdfpdf_icon

IRF7342D2

PD- 94101IRF7342D2TMFETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -55V2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET3 6RDS(on) = 105mS D Low VF Schottky Rectifier45G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.61VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs andSchottky

 ..2. Size:138K  international rectifier
irf7342d2pbf.pdfpdf_icon

IRF7342D2

PD- 94101AIRF7342D2TMFETKY MOSFET & Schottky Diodel Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -55V2 7l Ideal For Buck Regulator Applications A Kl P-Channel HEXFET3 6RDS(on) = 105mS Dl Low VF Schottky Rectifier45G Dl SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.61VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs andSchottky

 7.1. Size:172K  1
auirf7342q.pdfpdf_icon

IRF7342D2

PD - 97640AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8S1 D1V(BR)DSS-55V 150C Operating Temperature 2 7G1 D1 Fast Switching 3 6S2 D2RDS(on) max.0.105 Fully Avalanche Rated 4 5G2 D2 Lead-Free, RoHS CompliantID-3.4ATop View Autom

 7.2. Size:136K  international rectifier
irf7342.pdfpdf_icon

IRF7342D2

PD -91859IRF7342HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8S1 D1 Ultra Low On-ResistanceVDSS = -55V2 7 Dual P-Channel MosfetG1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel4 5G2 D2 Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.105 Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniqu

Другие MOSFET... IRF6216 , IRF6217 , IRF6218 , IRF6218S , IRF7210 , IRF7240 , IRF7241 , IRF7326D2 , 5N65 , IRF7404Q , IRF7410 , IRF7416Q , IRF7420 , IRF7424 , IRF7425 , IRF7700G , IRF7701G .

History: MTB05N03HQ8 | HRLU1B8N10K

 

 
Back to Top

 


 
.