IRF7342D2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7342D2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF7342D2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7342D2 даташит

 ..1. Size:125K  international rectifier
irf7342d2.pdfpdf_icon

IRF7342D2

PD- 94101 IRF7342D2 TM FETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -55V 2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 105m S D Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.61V Top View Description The FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs and Schottky

 ..2. Size:138K  international rectifier
irf7342d2pbf.pdfpdf_icon

IRF7342D2

PD- 94101A IRF7342D2 TM FETKY MOSFET & Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -55V 2 7 l Ideal For Buck Regulator Applications A K l P-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 105m S D l Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D l SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.61V Top View Description The FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs and Schottky

 7.1. Size:172K  1
auirf7342q.pdfpdf_icon

IRF7342D2

PD - 97640 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8 S1 D1 V(BR)DSS -55V 150 C Operating Temperature 2 7 G1 D1 Fast Switching 3 6 S2 D2 RDS(on) max. 0.105 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 Lead-Free, RoHS Compliant ID -3.4A Top View Autom

 7.2. Size:136K  international rectifier
irf7342.pdfpdf_icon

IRF7342D2

PD -91859 IRF7342 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 S1 D1 Ultra Low On-Resistance VDSS = -55V 2 7 Dual P-Channel Mosfet G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.105 Fast Switching Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniqu

Другие IGBT... IRF6216, IRF6217, IRF6218, IRF6218S, IRF7210, IRF7240, IRF7241, IRF7326D2, IRF1407, IRF7404Q, IRF7410, IRF7416Q, IRF7420, IRF7424, IRF7425, IRF7700G, IRF7701G