IRF7416Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7416Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF7416Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7416Q даташит

 ..1. Size:269K  1
irf7416qpbf.pdfpdf_icon

IRF7416Q

PD - 96124 IRF7416QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology A 1 8 l Ultra Low On-Resistance S D l P Channel MOSFET VDSS = -30V 2 7 S D l Surface Mount 3 6 l Available in Tape & Reel S D l 150 C Operating Temperature 4 5 G D RDS(on) = 0.02 l Automotive [Q101] Qualified l Lead-Free Top View Description Specifically designed for Automotive applications,

 ..2. Size:269K  international rectifier
irf7416qpbf.pdfpdf_icon

IRF7416Q

PD - 96124 IRF7416QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology A 1 8 l Ultra Low On-Resistance S D l P Channel MOSFET VDSS = -30V 2 7 S D l Surface Mount 3 6 l Available in Tape & Reel S D l 150 C Operating Temperature 4 5 G D RDS(on) = 0.02 l Automotive [Q101] Qualified l Lead-Free Top View Description Specifically designed for Automotive applications,

 0.1. Size:244K  international rectifier
auirf7416q.pdfpdf_icon

IRF7416Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7416Q HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Process Technology A 1 8 S D V(BR)DSS -30V l Low On-Resistance 2 7 S D l Logic Level Gate Drive 3 6 S D RDS(on) max. 0.02 l P-Channel MOSFET 4 5 G D l Dynamic dV/dT Rating ID -10A Top View l 150 C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free, RoHS Compliant l Autom

 7.1. Size:228K  international rectifier
irf7416pbf-1.pdfpdf_icon

IRF7416Q

IRF7416PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS -30 V A 1 8 S D RDS(on) max 0.020 2 7 (@V = -10V) S D GS Qg (typical) 61 nC 3 6 S D ID 4 5 -10 A G D (@T = 25 C) A SO-8 Top View Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant, Halogen-Free Environmen

Другие IGBT... IRF6218S, IRF7210, IRF7240, IRF7241, IRF7326D2, IRF7342D2, IRF7404Q, IRF7410, RFP50N06, IRF7420, IRF7424, IRF7425, IRF7700G, IRF7701G, IRF7702, IRF7702G, IRF7703G