Справочник MOSFET. IRF7420

 

IRF7420 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7420
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1013 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7420 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  international rectifier
irf7420pbf.pdfpdf_icon

IRF7420

PD - 95633AIRF7420PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 14m@VGS = -4.5V -11.5Al Surface Mount17.5m@VGS = -2.5V -9.8Al Available in Tape & Reel26m@VGS = -1.8V -8.1Al Lead-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniq

 ..2. Size:103K  international rectifier
irf7420.pdfpdf_icon

IRF7420

PD - 94278IRF7420HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 14m@VGS = -4.5V -11.5A Surface Mount17.5m@VGS = -2.5V -9.8A Available in Tape & Reel26m@VGS = -1.8V -8.1ADescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniques to achieve the ex

 0.1. Size:190K  international rectifier
irf7420pbf-1.pdfpdf_icon

IRF7420

IRF7420PbF-1HEXFET Power MOSFETA1 8VDS -12 VS DRDS(on) max 2 7S D14 m(@V = -4.5V)GS3 6S DRDS(on) max 17.5 m4 5(@V = -2.5V)GS G DRDS(on) max 26 mSO-8Top View(@V = -1.8V)GSQg (typical) 38 nCID -11.5 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Sur

 8.1. Size:122K  international rectifier
irf7424pbf.pdfpdf_icon

IRF7420

PD- 95343IRF7424PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET-30V 13.5@VGS = -10V -11Al Surface Mount22@VGS = -4.5V -8.8Al Available in Tape & Reell Lead-FreeA1 8Description S DThese P-Channel MOSFETs from International2 7S DRectifier utilize advanced processing techniques to3achieve the extremely low on-resista

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SI2369DS-T1 | HCH20NT60V | ITA08N65R | NCE70H10F | 2SK3025 | FTK7N65P | KIA2906A-247

 

 
Back to Top

 


 
.