IRF7700G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7700G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для IRF7700G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7700G даташит

 ..1. Size:241K  international rectifier
 irf7700gpbf.pdf pdf_icon

IRF7700G

PD - 96155A IRF7700GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -20V 0.015@VGS = -4.5V -8.6A l Very Small SOIC Package 0.024@VGS = -2.5V -7.3A l Low Profile (

 7.1. Size:149K  international rectifier
 irf7700.pdf pdf_icon

IRF7700G

PD - 93894A IRF7700 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -20V 0.015@VGS = -4.5V -8.6A Very Small SOIC Package 0.024@VGS = -2.5V -7.3A Low Profile (

 8.1. Size:141K  international rectifier
 irf7701.pdf pdf_icon

IRF7700G

PD - 93940 IRF7701 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (

 8.2. Size:234K  international rectifier
 irf7705gpbf.pdf pdf_icon

IRF7700G

PD- 96142A IRF7705GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max (mW) ID l Very Small SOIC Package -30V 18 @VGS = -10V -8.0A l Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7326D2, IRF7342D2, IRF7404Q, IRF7410, IRF7416Q, IRF7420, IRF7424, IRF7425, 20N50, IRF7701G, IRF7702, IRF7702G, IRF7703G, IRF7704, IRF7704G, IRF7705, IRF7705G