IRF7702G - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

IRF7702G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7702G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для IRF7702G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRF7702G даташит

..1. Size:227K international rectifier
irf7702gpbf.pdf pdf_icon

PD- 96147 IRF7702GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l -1.8V Rated 0.014@VGS = -4.5V -8.0A l P-Channel MOSFET -12V 0.019@VGS = -2.5V -7.0A l Very Small SOIC Package 0.027@VGS = -1.8V -5.8A l Low Profile (

7.1. Size:138K international rectifier
irf7702.pdf pdf_icon

PD - 93849C PROVISIONAL IRF7702 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID -1.8V Rated 0.014@VGS = -4.5V -8.0A P-Channel MOSFET -12V 0.019@VGS = -2.5V -7.0A Very Small SOIC Package 0.027@VGS = -1.8V -5.8A Low Profile (

7.2. Size:184K international rectifier
irf7702pbf.pdf pdf_icon

PD-96027 IRF7702PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l -1.8V Rated 0.014@VGS = -4.5V -8.0A l P-Channel MOSFET -12V 0.019@VGS = -2.5V -7.0A l Very Small SOIC Package 0.027@VGS = -1.8V -5.8A l Low Profile (

8.1. Size:141K international rectifier
irf7701.pdf pdf_icon

PD - 93940 IRF7701 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (