IRF7704G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7704G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 360 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для IRF7704G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7704G даташит

 ..1. Size:245K  international rectifier
 irf7704gpbf.pdf pdf_icon

IRF7704G

PD-96149 IRF7704GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l P-Channel MOSFET -40V 46@VGS = -10V -4.6A l Very Small SOIC Package 74@VGS = -4.5V -3.7A l Low Profile (

 7.1. Size:193K  international rectifier
 irf7704.pdf pdf_icon

IRF7704G

PD- 94160 IRF7704 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance ) VDSS RDS(on) max (m ) ID ) ) ) P-Channel MOSFET -40V 46@VGS = -10V -4.6A Very Small SOIC Package 74@VGS = -4.5V -3.7A Low Profile (

 7.2. Size:244K  international rectifier
 irf7704pbf.pdf pdf_icon

IRF7704G

PD- 96025A IRF7704PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l P-Channel MOSFET -40V 46@VGS = -10V -4.6A l Very Small SOIC Package 74@VGS = -4.5V -3.7A l Low Profile (

 8.1. Size:141K  international rectifier
 irf7701.pdf pdf_icon

IRF7704G

PD - 93940 IRF7701 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7424, IRF7425, IRF7700G, IRF7701G, IRF7702, IRF7702G, IRF7703G, IRF7704, 8N60, IRF7705, IRF7705G, IRF7706, IRF7706G, IRF7726, IRF9310, IRF9317, IRF9321