IRF7705. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7705

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 418 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для IRF7705

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7705 даташит

 ..1. Size:234K  international rectifier
 irf7705pbf.pdf pdf_icon

IRF7705

PD-96022A IRF7705PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l P-Channel MOSFET -30V 18 @VGS = -10V -8.0A l Very Small SOIC Package 30 @VGS = -4.5V -6.0A l Low Profile (

 ..2. Size:146K  international rectifier
 irf7705.pdf pdf_icon

IRF7705

PD - 94001A IRF7705 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance ) VDSS RDS(on) max (m ) ID ) ) ) P-Channel MOSFET -30V 18 @VGS = -10V -8.0A Very Small SOIC Package 30 @VGS = -4.5V -6.0A Low Profile (

 0.1. Size:234K  international rectifier
 irf7705gpbf.pdf pdf_icon

IRF7705

PD- 96142A IRF7705GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max (mW) ID l Very Small SOIC Package -30V 18 @VGS = -10V -8.0A l Low Profile (

 8.1. Size:141K  international rectifier
 irf7701.pdf pdf_icon

IRF7705

PD - 93940 IRF7701 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7425, IRF7700G, IRF7701G, IRF7702, IRF7702G, IRF7703G, IRF7704, IRF7704G, P60NF06, IRF7705G, IRF7706, IRF7706G, IRF7726, IRF9310, IRF9317, IRF9321, IRF9328