IRF7706. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7706

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 339 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для IRF7706

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7706 даташит

 ..1. Size:152K  international rectifier
 irf7706.pdf pdf_icon

IRF7706

PD -94003 IRF7706 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -30V 22m @VGS = -10V -7.0A Very Small SOIC Package 36m @VGS = -4.5V -5.6A Low Profile (

 ..2. Size:238K  international rectifier
 irf7706pbf.pdf pdf_icon

IRF7706

PD-96023A IRF7706PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -30V 22m @VGS = -10V -7.0A l Very Small SOIC Package 36m @VGS = -4.5V -5.6A l Low Profile (

 0.1. Size:234K  international rectifier
 irf7706gpbf.pdf pdf_icon

IRF7706

PD-96143A IRF7706GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max ID l Very Small SOIC Package -30V 22m @VGS = -10V -7.0A l Low Profile (

 8.1. Size:141K  international rectifier
 irf7701.pdf pdf_icon

IRF7706

PD - 93940 IRF7701 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7701G, IRF7702, IRF7702G, IRF7703G, IRF7704, IRF7704G, IRF7705, IRF7705G, AO3400A, IRF7706G, IRF7726, IRF9310, IRF9317, IRF9321, IRF9328, IRF9332, IRF9333