Справочник MOSFET. IRF9310

 

IRF9310 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF9310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  international rectifier
irf9310pbf.pdfpdf_icon

IRF9310

PD - 97437AIRF9310PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VRDS(on) max 4.6 m(@VGS = 10V)ID -20 A(@TA = 25C)SO-8Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery ApplicationFeatures and BenefitsResulting BenefitsFeaturesLow RDSon ( 4.6m) Lower Conduction Lossesresults in Industry-Standard SO8 Package Multi-Vendor CompatibilityRoHS

 0.1. Size:232K  international rectifier
irf9310pbf-1.pdfpdf_icon

IRF9310

IRF9310PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -30 VRDS(on) max S 18 D4.6(@V = -10V)GSmS 27 DRDS(on) max 6.8(@V = -4.5V)GSS 3 6 DQg (typical) 58 nCG 4 5 DID -20 ASO-8(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halo

 0.2. Size:812K  cn vbsemi
irf9310trpbf-9.pdfpdf_icon

IRF9310

IRF9310TRPBF&-9www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2

 8.1. Size:219K  international rectifier
irf9317pbf.pdfpdf_icon

IRF9310

PD - 97465IRF9317PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VS 18 DRDS(on) max 6.6 mS 27 D(@VGS = -10V)RDS(on) max S 3 6 D10.2 m(@VGS = -4.5V)G 4 5 DQg (typical)31 nCSO-8ID -16 A(@TA = 25C)Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery ApplicationFeatures and BenefitsResulting BenefitsFeaturesIndustry-Standard SO8 Package Multi-Vendor

Другие MOSFET... IRF7703G , IRF7704 , IRF7704G , IRF7705 , IRF7705G , IRF7706 , IRF7706G , IRF7726 , NCEP15T14 , IRF9317 , IRF9321 , IRF9328 , IRF9332 , IRF9333 , IRF9335 , IRF9388 , IRF9392 .

History: MTP12N20 | P6503NJ | JFAM20N60C

 

 
Back to Top

 


 
.