IRF7380. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7380
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7380
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7380 даташит
irf7380pbf.pdf
IRF7380PbF HEXFET Power MOSFET VDSS RDS(on) max ID Applications l High frequency DC-DC converters 80V 73m @VGS = 10V 3.6A l Lead-Free Benefits 1 8 S1 D1 l Low Gate to Drain Charge to Reduce 2 7 G1 D1 Switching Losses 3 6 l Fully Characterized Capacitance Including S2 D2 Effective COSS to Simplify Design, (See 4 5 G2 D2 App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Vol
irf7380qpbf.pdf
PD - 96132B IRF7380QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l N Channel MOSFET 73m @VGS = 10V l Surface Mount 80V 2.2A l Available in Tape & Reel l 150 C Operating Temperature l Lead-Free 1 8 S1 D1 2 7 Description G1 D1 Additional features of These HEXFET Power 3 6 S2 D2 MOSFET's are a 150 C junction operating 4
irf7380pbf-1.pdf
IRF7380TRPbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 80 V 1 8 S1 D1 RDS(on) max 2 7 73 m G1 D1 (@V = 10V) GS 3 6 S2 D2 Qg (typical) 15 nC 4 5 ID G2 D2 3.6 A (@T = 25 C) A Top View SO-8 Applications l High frequency DC-DC converters Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Ma
irf7389pbf.pdf
PD - 95462 IRF7389PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Complimentary Half Bridge 2 7 G1 D1 VDSS 30V -30V l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 l Lead-Free P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.029 0.058 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
Другие MOSFET... IRLR9343 , IRLTS2242 , IRLU9343 , IRF7752 , IRF9956 , IRF7501 , IRFHM792 , IRFI4212H-117P , IRF1404 , IRF6702M2D , IRF7341I , IRF7301 , IRFI4020H-117P , IRFHM8363 , IRL6372 , IRF9910 , IRF7311 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546






