Справочник MOSFET. IRFHM8363

 

IRFHM8363 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFHM8363
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0149 Ohm
   Тип корпуса: PQFN3.3X3.3E
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFHM8363 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  international rectifier
irfhm8363pbf.pdfpdf_icon

IRFHM8363

IRFHM8363PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVgs max V 20RDS(on) max G14.9 SG(@VGS = 10V)m SDD(@VGS = 4.5V)20.4DDDDQg typ6.7 nCPQFN Dual 3.3X3.3 mmID 10 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Power Stage for high frequency buck converters Battery Protection charge and discharge switchesFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow

 7.1. Size:593K  1
irfhm8329trpbf.pdfpdf_icon

IRFHM8363

IRFHM8329PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS max 20 V RDS(on) max 6.1G (@ VGS = 10V) m S S S (@ VGS = 4.5V) 8.8 D Qg (typical) 13 nC D D D ID D 24 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 3.3X3.3 mm Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application System/Load Switch Synchronous MOSFET for

 7.2. Size:532K  1
irfhm830trpbf.pdfpdf_icon

IRFHM8363

IRFHM830PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 3.8 m(@ VGS = 10V) Qg (typical) 15 nC Rg (typical) 2.5 ID 40 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features Benefits Low RDSon (

 7.3. Size:243K  international rectifier
irfhm830d.pdfpdf_icon

IRFHM8363

PD -96327AIRFHM830DPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VRDS(on) max D 5 4 G4.3 m(@VGS = 10V)D 6 3 SQg (typical)13nCD 7 2 SRG (typical)1.1 D 8 1 SID 40 A3.3mm x 3.3mm PQFN(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for Buck ConvertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon ( 4.3m) Lower Conduction LossesSchottky intrin

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP9990GMT | 4N60KG-TN3-R | 2SK1879 | GSM3484S | MTM8N60 | FDD2512 | APT50M60L2VR

 

 
Back to Top

 


 
.