IRLHS6276. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRLHS6276
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: PQFN2X2
Аналог (замена) для IRLHS6276
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRLHS6276 даташит
irlhs6276pbf.pdf
IRLHS6276PbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V VGS 12 V RDS(on) max D1 45 m G2 (@VGS = 4.5V) S2 D1 D2 RDS(on) max 62 m (@VGS = 2.5V) S1 G1 ID D2 3.4 A (@Tc(Bottom) = 25 C) 2mm x 2mm Dual PQFN Applications Charge and discharge switch for battery application Load/System Switch Features and Benefits Features Resulting Benefits Low RDSon ( 45m )
irlhs6242pbf.pdf
IRLHS6242PbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V TOP VIEW VGS V 12 RDS(on) max D 1 6 D 11.7 m D (@VGS = 4.5V) D G D RDS(on) max D 2 D 5 D 15.5 m (@VGS = 2.5V) D ID S D G 3 4 S S 12 A S (@TC (Bottom) = 25 C) 2mm x 2mm PQFN Applications Charge and discharge switch for battery application System/Load Switch Features and Benefits Features Resulting Benef
irlhs6342pbf.pdf
IRLHS6342PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V TOP VIEW VGS 12 V D 1 6 D RDS(on) max D 15.5 m D (@VGS = 4.5V) G D 2 D 5 D D Qg (typical) 11 nC S G 3 4 S D ID D S 12 A S (@TC (Bottom) = 25 C) 2mm x 2mm PQFN Applications Charge and discharge switch for battery application System/Load Switch Features and Benefits Features Resulting Benefits Low RDSon (
irlhs6376pbf.pdf
IRLHS6376PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS 12 V D1 RDS(on) max 63 m G2 (@VGS = 4.5V) S2 D1 D2 RDS(on) max 82 m (@VGS = 2.5V) S1 G1 ID D2 3.4 A (@Tc(Bottom) = 25 C) 2mm x 2mm Dual PQFN Applications Charge and discharge switch for battery application Load/System Switch Features and Benefits Features Resulting Benefits Low RDSon ( 63m )
Другие MOSFET... IRFH7911 , IRFI4024H-117P , IRF6723M2D , IRFI4019H-117P , IRF8513 , IRF7101 , IRFI4019HG-117P , IRF7103 , 2N7002 , IRF7103Q , IRF7341Q , IRF7905 , IRF7907 , IRF8910 , IRF7351 , IRLHS6376 , IRF7902 .
History: IRF7905 | 2SK1696 | AUIRF7341Q | MXP6006CT | SM4026NSUC | WMJ28N65F2 | STE36N50A
History: IRF7905 | 2SK1696 | AUIRF7341Q | MXP6006CT | SM4026NSUC | WMJ28N65F2 | STE36N50A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383




