Справочник MOSFET. IRF7306

 

IRF7306 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  international rectifier
irf7306pbf.pdfpdf_icon

IRF7306

PD - 95178IRF7306PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel Dual P-Channel Mosfet 1 8S1 D1VDSS = -30Vl Surface Mount2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating4 5l Fast SwitchingG2 D2 RDS(on) = 0.10l Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advance

 ..2. Size:113K  international rectifier
irf7306.pdfpdf_icon

IRF7306

PD - 9.1241CIRF7306HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1VDSS = -30V Dual P-Channel Mosfet 2 7G1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel45RDS(on) = 0.10G2 D2 Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techni

 0.1. Size:249K  international rectifier
irf7306qpbf.pdfpdf_icon

IRF7306

PD - 96105IRF7306QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technology1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1VDSS = -30Vl Dual P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface Mount3 6S2 D2l Available in Tape & Reel4l 150C Operating Temperature 5G2 D2 RDS(on) = 0.10l Automotive [Q101] Qualifiedl Lead-FreeTop ViewDescriptionSpecifically designed for Automotive applic

 0.2. Size:1689K  cn vbsemi
irf7306qtr.pdfpdf_icon

IRF7306

IRF7306QTRwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.