Справочник MOSFET. IRF7306Q

 

IRF7306Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7306Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для IRF7306Q

 

 

IRF7306Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  international rectifier
 irf7306qpbf.pdf

IRF7306Q IRF7306Q

PD - 96105IRF7306QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technology1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1VDSS = -30Vl Dual P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface Mount3 6S2 D2l Available in Tape & Reel4l 150C Operating Temperature 5G2 D2 RDS(on) = 0.10l Automotive [Q101] Qualifiedl Lead-FreeTop ViewDescriptionSpecifically designed for Automotive applic

 0.1. Size:1689K  cn vbsemi
 irf7306qtr.pdf

IRF7306Q IRF7306Q

IRF7306QTRwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top V

 7.1. Size:113K  international rectifier
 irf7306.pdf

IRF7306Q IRF7306Q

PD - 9.1241CIRF7306HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1VDSS = -30V Dual P-Channel Mosfet 2 7G1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel45RDS(on) = 0.10G2 D2 Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techni

 7.2. Size:231K  infineon
 irf7306pbf.pdf

IRF7306Q IRF7306Q

PD - 95178IRF7306PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel Dual P-Channel Mosfet 1 8S1 D1VDSS = -30Vl Surface Mount2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating4 5l Fast SwitchingG2 D2 RDS(on) = 0.10l Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advance

 7.3. Size:1687K  cn vbsemi
 irf7306tr.pdf

IRF7306Q IRF7306Q

IRF7306TRwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi

Другие MOSFET... IRF7306 , IRF7324 , IRF7750G , IRF9358 , IRF5810 , IRF7750 , IRF9362 , IRF7755G , AO3400 , IRF7342 , IRF7304 , IRF5850 , IRF7104 , IRF7342Q , IRFHS9351 , IRF9395M , IRF7314 .

 

 
Back to Top