IRF7306Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7306Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF7306Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7306Q даташит

 ..1. Size:249K  international rectifier
 irf7306qpbf.pdf pdf_icon

IRF7306Q

PD - 96105 IRF7306QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 VDSS = -30V l Dual P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Available in Tape & Reel 4 l 150 C Operating Temperature 5 G2 D2 RDS(on) = 0.10 l Automotive [Q101] Qualified l Lead-Free Top View Description Specifically designed for Automotive applic

 0.1. Size:1689K  cn vbsemi
 irf7306qtr.pdf pdf_icon

IRF7306Q

IRF7306QTR www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top V

 7.1. Size:231K  international rectifier
 irf7306pbf.pdf pdf_icon

IRF7306Q

PD - 95178 IRF7306PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l Dual P-Channel Mosfet 1 8 S1 D1 VDSS = -30V l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 l Fast Switching G2 D2 RDS(on) = 0.10 l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advance

 7.2. Size:113K  international rectifier
 irf7306.pdf pdf_icon

IRF7306Q

PD - 9.1241C IRF7306 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 VDSS = -30V Dual P-Channel Mosfet 2 7 G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 RDS(on) = 0.10 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techni

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7306, IRF7324, IRF7750G, IRF9358, IRF5810, IRF7750, IRF9362, IRF7755G, AO3407, IRF7342, IRF7304, IRF5850, IRF7104, IRF7342Q, IRFHS9351, IRF9395M, IRF7314