Справочник MOSFET. IRF5850

 

IRF5850 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF5850
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для IRF5850

 

 

IRF5850 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  international rectifier
 irf5850.pdf

IRF5850 IRF5850

PD - 93947IRF5850HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFETVDSS = -20V Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate ChargeRDS(on) = 0.135Top ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area. This benefitprovides the desi

 8.1. Size:239K  international rectifier
 irf5852.pdf

IRF5850 IRF5850

PD - 93999IRF5852HEXFET Power MOSFET)VDSS RDS(on) max () ID))) Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET 20 V 0.090@VGS = 4.5V 2.7A Surface Mount0.120@VGS = 2.5V 2.2A Available in Tape & Reel Low Gate ChargeDescriptionThese N-channel MOSFETs from International RectifierG1 1 6 D1utilize advanced processing techniques to achieve theextremel

 8.2. Size:172K  international rectifier
 irf5851.pdf

IRF5850 IRF5850

PD-93998AIRF5851HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceN-Ch P-Chl Dual N and P Channel MOSFETG1 D11 6l Surface MountVDSS 20V -20Vl Available in Tape & ReelS1S2 2 5l Low Gate ChargeG2 3 4 D2RDS(on) 0.090 0.135DescriptionThese N and P channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achievethe extremely low on

 8.3. Size:823K  cn vbsemi
 irf5851tr.pdf

IRF5850 IRF5850

IRF5851TRwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top