IRF7309I. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7309I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7309I
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7309I даташит
irf7309ipbf.pdf
PD - 96086 IRF7309IPbF Lead-Free Description www.irf.com 1 07/07/06 IRF7309IPbF 2 www.irf.com IRF7309IPbF www.irf.com 3 IRF7309IPbF 4 www.irf.com IRF7309IPbF www.irf.com 5 IRF7309IPbF 6 www.irf.com IRF7309IPbF www.irf.com 7 IRF7309IPbF 8 www.irf.com IRF7309IPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance
auirf7309q.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7309Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 Low On-Resistance 2 7 VDSS 30V -30V G1 D1 Logic Level Gate Drive 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.05 0.10 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150 C Operating Temperature Top View ID 4.7A -3.5A
irf7309qpbf.pdf
PD - 96135A IRF7309QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance N-CHANNEL MOSFET 1 8 N-Ch P-Ch l Dual N and P Channel MOSFET S1 D1 l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel VDSS 30V -30V 3 6 l 150 C Operating Temperature S2 D2 l Lead-Free 4 5 RDS(on) 0.050 0.10 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET Description Top View These HEXF
irf7309.pdf
PD - 9.1243B IRF7309 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET Ultra Low On-Resistance 1 8 N-Ch P-Ch S1 D1 Dual N and P Channel Mosfet 2 7 G1 D1 Surface Mount VDSS 30V -30V Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 Fast Switching P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.10 Top View Description Fifth Generation HEXFET
Другие MOSFET... IRF7509 , IRF7309 , IRF7105 , IRF7307 , IRF7105Q , IRF7389 , IRF7343I , IRF7343Q , K2611 , IRF7379I , IRF7319 , IRF7317 , IRF7379Q , IRF7309Q , IRF7507 , IRF7307Q , IRF7343 .
History: AO4294 | STD3PK50Z | AGM405AP1 | 30N06G-TF3-T | S-LBSS138LT1G | AO4292E | 2SK3575-S
History: AO4294 | STD3PK50Z | AGM405AP1 | 30N06G-TF3-T | S-LBSS138LT1G | AO4292E | 2SK3575-S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488








