IRF7343 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF7343
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SO8
IRF7343 Datasheet (PDF)
irf7343pbf.pdf

PD - 92547IRF7343PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface Mount VDSS 55V -55V3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated45l Lead-Free G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.050 0.105DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFETs from International Rectifi
irf7343.pdf

PD -91709IRF7343HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1 Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1 Surface Mount VDSS 55V -55V3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated45G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.050 0.105DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced
auirf7343q.pdf

PD - 96343BAUTOMOTIVE MOSFETAUIRF7343QHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Planar TechnologyN-Ch P-ChN-CHANNEL MOSFET1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFETV(BR)DSS55V -55V2 7G1 D1l Surface Mount3 6l Available in Tape & ReelS2 D2RDS(on) typ.0.043 0.095l 150C Operating Temperature45G2 D2l Automotive [Q101] Qualif
irf7343ipbf.pdf

PD - 96088IRF7343IPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface Mount VDSS 55V -55V3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated45l Lead-Free G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.050 0.105DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFETs from International Rectif
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FSS23A4R | NCEAP40T11K | NCE70T260K | NTMFS5C423NLT1G | TK380P60Y | BUK9Y27-40B | SFF450C
History: FSS23A4R | NCEAP40T11K | NCE70T260K | NTMFS5C423NLT1G | TK380P60Y | BUK9Y27-40B | SFF450C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c