AUIRF7304Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AUIRF7304Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AUIRF7304Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF7304Q даташит

 ..1. Size:517K  1
 auirf7304q.pdf pdf_icon

AUIRF7304Q

 6.1. Size:456K  1
 auirf7309q.pdf pdf_icon

AUIRF7304Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7309Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 Low On-Resistance 2 7 VDSS 30V -30V G1 D1 Logic Level Gate Drive 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.05 0.10 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150 C Operating Temperature Top View ID 4.7A -3.5A

 6.2. Size:578K  1
 auirf7303q.pdf pdf_icon

AUIRF7304Q

 6.3. Size:456K  infineon
 auirf7309q.pdf pdf_icon

AUIRF7304Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7309Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 Low On-Resistance 2 7 VDSS 30V -30V G1 D1 Logic Level Gate Drive 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.05 0.10 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150 C Operating Temperature Top View ID 4.7A -3.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7343, IRF7379, IRF9952Q, AUIRF7319Q, AUIRF7316Q, AUIRF7342Q, AUIRF7303Q, AUIRF7103Q, IRF540, AUIRF7379Q, AUIRF7341Q, AUIRF7309Q, AUIRF7343Q, AUIRF9952Q, 2SJ168, 2SJ305, 2SJ343