Справочник MOSFET. AUIRF7379Q

 

AUIRF7379Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRF7379Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AUIRF7379Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF7379Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  1
auirf7379q.pdfpdf_icon

AUIRF7379Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7379Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1 Low On-Resistance VDSS 30V -30V 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.038 0.0703 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.045 0.09045G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 5.8A -4.3A Available in

 ..2. Size:349K  infineon
auirf7379q.pdfpdf_icon

AUIRF7379Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7379Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1 Low On-Resistance VDSS 30V -30V 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.038 0.0703 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.045 0.09045G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 5.8A -4.3A Available in

 7.1. Size:403K  1
auirf7341q.pdfpdf_icon

AUIRF7379Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7341Q VDSS Features 1 8 55V S1 D1 Advanced Planar Technology 2 7G1 D1RDS(on) typ. 0.0433 6 Ultra Low On-Resistance S2 D24 5 max. Logic Level Gate Drive G2 D20.050 Dual N Channel MOSFET Top View ID 5.1A Surface Mount Available in Tape & Reel 175C Operating Temperature Lead-Free, RoHS Co

 7.2. Size:365K  1
auirf7319q.pdfpdf_icon

AUIRF7379Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7319Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1VDSS 30V -30V Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.023 0.0423 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.029 0.05845G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 6.5A -4.9A Fully Avalanch

Другие MOSFET... IRF7379 , IRF9952Q , AUIRF7319Q , AUIRF7316Q , AUIRF7342Q , AUIRF7303Q , AUIRF7103Q , AUIRF7304Q , 50N06 , AUIRF7341Q , AUIRF7309Q , AUIRF7343Q , AUIRF9952Q , 2SJ168 , 2SJ305 , 2SJ343 , 2SJ344 .

History: MTB04N03AQ8 | NCES120P075T4 | SKI03021 | IRLB3036 | IRFS130 | FTD04N60A | STP85NF55L

 

 
Back to Top

 


 
.