AUIRF7379Q - описание и поиск аналогов

 

AUIRF7379Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRF7379Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AUIRF7379Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF7379Q даташит

 ..1. Size:349K  1
auirf7379q.pdfpdf_icon

AUIRF7379Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7379Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 Low On-Resistance VDSS 30V -30V 2 7 G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.038 0.070 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.045 0.090 4 5 G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFET ID 5.8A -4.3A Available in

 ..2. Size:349K  infineon
auirf7379q.pdfpdf_icon

AUIRF7379Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7379Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 Low On-Resistance VDSS 30V -30V 2 7 G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.038 0.070 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.045 0.090 4 5 G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFET ID 5.8A -4.3A Available in

 7.1. Size:403K  1
auirf7341q.pdfpdf_icon

AUIRF7379Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7341Q VDSS Features 1 8 55V S1 D1 Advanced Planar Technology 2 7 G1 D1 RDS(on) typ. 0.043 3 6 Ultra Low On-Resistance S2 D2 4 5 max. Logic Level Gate Drive G2 D2 0.050 Dual N Channel MOSFET Top View ID 5.1A Surface Mount Available in Tape & Reel 175 C Operating Temperature Lead-Free, RoHS Co

 7.2. Size:365K  1
auirf7319q.pdfpdf_icon

AUIRF7379Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7319Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 VDSS 30V -30V Low On-Resistance 2 7 G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.023 0.042 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.029 0.058 4 5 G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFET ID 6.5A -4.9A Fully Avalanch

Другие MOSFET... IRF7379 , IRF9952Q , AUIRF7319Q , AUIRF7316Q , AUIRF7342Q , AUIRF7303Q , AUIRF7103Q , AUIRF7304Q , 50N06 , AUIRF7341Q , AUIRF7309Q , AUIRF7343Q , AUIRF9952Q , 2SJ168 , 2SJ305 , 2SJ343 , 2SJ344 .

History: JCS10N70C | 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513

 

 

 

 

↑ Back to Top
.