2SJ305 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SJ305  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT346 SC59 SMINI

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SJ305

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ305 даташит

 ..1. Size:335K  toshiba
 2sj305.pdf pdf_icon

2SJ305

2SJ305 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ305 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Applications High input impedance Low gate threshold voltage. V = -0.5 -1.5 V th Excellent switching times. t = 0.06 s (typ.) on t = 0.15 s (typ.) off Low drain-source ON resistance R = 2.4 (typ.) DS (ON) Small packa

 9.1. Size:379K  toshiba
 2sj304.pdf pdf_icon

2SJ305

2SJ304 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L - -MOSIV) 2SJ304 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 80 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 8.0 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-m

 9.2. Size:96K  sanyo
 2sj308.pdf pdf_icon

2SJ305

Ordering number EN4318 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ308 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ308] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO-

 9.3. Size:115K  sanyo
 2sj307.pdf pdf_icon

2SJ305

Ordering number EN4317A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ307 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ307] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRF7103Q, AUIRF7304Q, AUIRF7379Q, AUIRF7341Q, AUIRF7309Q, AUIRF7343Q, AUIRF9952Q, 2SJ168, 2N7002, 2SJ343, 2SJ344, 2SJ345, 2SJ346, 2SJ347, 2SJ360, 2SJ465, 2SJ511