Справочник MOSFET. 2SJ465

 

2SJ465 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ465
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.71 Ohm
   Тип корпуса: SOT89 SC62 PWMINI
 

 Аналог (замена) для 2SJ465

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ465 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  toshiba
2sj465.pdfpdf_icon

2SJ465

2SJ465 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ465 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 2.5 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.54 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 1.7 S (typ.) fs Low leakage current : I = -100 A (max) DSS (V = -16 V) DS Enhance

 9.1. Size:3991K  1
2sj463.pdfpdf_icon

2SJ465

 9.2. Size:319K  toshiba
2sj464.pdfpdf_icon

2SJ465

 9.3. Size:39K  sanyo
2sj466.pdfpdf_icon

2SJ465

Ordering number:ENN5491BP-Channel Silicon MOSFET2SJ466Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2128 4V drive.[2SJ466] Enables simplified fabrication, high-density mount-8.27.8ing, and miniaturization in end products due to the6.20.63surface mountable package.1 20.31

Другие MOSFET... 2SJ168 , 2SJ305 , 2SJ343 , 2SJ344 , 2SJ345 , 2SJ346 , 2SJ347 , 2SJ360 , IRFB4110 , 2SJ511 , 2SJ537 , 2SJ567 , 2SJ610 , 2SJ668 , 2SJ680 , 2SJ681 , 2SK1062 .

History: CS4J60A3-G | IXFB82N60P | MS23P25

 

 
Back to Top

 


 
.