Справочник MOSFET. 2SJ511

 

2SJ511 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ511
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SOT89 SC62 PWMINI
 

 Аналог (замена) для 2SJ511

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ511 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  toshiba
2sj511.pdfpdf_icon

2SJ511

2SJ511 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ511 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.32 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 1.4 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -30 V) DS Enhancem

 9.1. Size:411K  toshiba
2sj516.pdfpdf_icon

2SJ511

2SJ516 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (-MOSV) 2SJ516 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.6 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 5.3 S (typ.) fs Low leakage current : I = -100 A (max) (V = -250 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = -1.5~-3.

 9.2. Size:454K  toshiba
2sj512.pdfpdf_icon

2SJ511

2SJ512 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2--MOSV) 2SJ512 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 3.7 S (typ.) fs Low leakage current : I = -100 A (max) (V = -250 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = -1.5~

 9.3. Size:83K  renesas
2sj518.pdfpdf_icon

2SJ511

2SJ518 Silicon P Channel MOS FET REJ03G0875-0400 (Previous: ADE-208-580B) Rev.4.00 Sep 07, 2005 Description High speed power switching Features Low on-resistance RDS (on) = 0.35 typ. (at VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current 4 V gate drive devices High speed switching Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-AR(Package name: UPAK )

Другие MOSFET... 2SJ305 , 2SJ343 , 2SJ344 , 2SJ345 , 2SJ346 , 2SJ347 , 2SJ360 , 2SJ465 , IRFP250N , 2SJ537 , 2SJ567 , 2SJ610 , 2SJ668 , 2SJ680 , 2SJ681 , 2SK1062 , 2SK1359 .

History: STP20NF06 | HIRFZ24NP | SFF7N60 | HM4443 | SWI80N04V | SMG2310N

 

 
Back to Top

 


 
.