2SK2009 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK2009
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SOT346 SC59 SMINI
Аналог (замена) для 2SK2009
2SK2009 Datasheet (PDF)
2sk2009.pdf

2SK2009 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK2009 High Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications High input impedance. Low gate threshold voltage: V = 0.5~1.5 V th Excellent switching times: t = 0.06 s (typ.) ont = 0.12 s (typ.) off Low drain-source ON resistance: R = 1.2 (typ.) DS (ON) Small
2sk2000-r.pdf

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.comFuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
2sk2007.pdf

2SK2007 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0991-0200 (Previous: ADE-208-1339) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for switching regulator, DC - DC converter, motor control Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A(Package na
2sk2008.pdf

2SK2008 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0992-0200 (Previous: ADE-208-1340) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC - DC converter, motor control Outline RENESAS Package code: PRSS0003ZA-A(Package na
Другие MOSFET... 2SK1359 , 2SK1365 , 2SK1489 , 2SK1826 , 2SK1827 , 2SK1828 , 2SK1829 , 2SK1830 , 12N60 , 2SK2033 , 2SK2034 , 2SK2035 , 2SK2036 , 2SK2037 , 2SK2601 , 2SK2602 , 2SK2606 .
History: BSZ165N04NSG | FCMT250N65S3 | STL75N3LLZH5 | MEM2301X | 2SK824 | 2SK532 | SDF10N100SXH
History: BSZ165N04NSG | FCMT250N65S3 | STL75N3LLZH5 | MEM2301X | 2SK824 | 2SK532 | SDF10N100SXH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g