Справочник MOSFET. 2SK2989

 

2SK2989 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2989
   Маркировка: K2989
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO92MOD
 

 Аналог (замена) для 2SK2989

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2989 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  toshiba
 2sk2989.pdf pdf_icon

2SK2989

2SK2989 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) 2SK2989 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 120 m (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 2.6 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 50 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 0.8~2.0 V

 8.1. Size:433K  toshiba
 2sk2986.pdf pdf_icon

2SK2989

2SK2986 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK2986 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 4.5 m (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 80 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 60 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.3~2.5 V (V = 10

 8.2. Size:424K  toshiba
 2sk2985.pdf pdf_icon

2SK2989

2SK2985 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK2985 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 4.5 m (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 70 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 60 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.3~2.5 V (V = 10

 8.3. Size:426K  toshiba
 2sk2987.pdf pdf_icon

2SK2989

2SK2987 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK2987 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications Low drain-source ON resistance : RDS = 4.5 m (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 80 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 60 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 1.3~2.5 V (V =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK2847 , 2SK2865 , 2SK2917 , 2SK2953 , 2SK2962 , 2SK2963 , 2SK2964 , 2SK2968 , 5N65 , 2SK2992 , 2SK2998 , 2SK3017 , 2SK3132 , 2SK3301 , 2SK3371 , 2SK3373 , 2SK3438 .

History: AP92T03GH-HF | MCAC75N02

 

 
Back to Top

 


 
.