SSM3J133TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3J133TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0298 Ohm

Тип корпуса: UFM

Аналог (замена) для SSM3J133TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J133TU даташит

 ..1. Size:203K  toshiba
 ssm3j133tu.pdf pdf_icon

SSM3J133TU

SSM3J133TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J133TU Power Management Switch Applications Unit mm 1.5V drive 2.1 0.1 Low ON-resistance RDS(ON) = 88.4 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 56.0 m (max) (@VGS = -1.8 V) 1.7 0.1 RDS(ON) = 39.7 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 29.8 m (max) (@VGS = -4.5 V) 1 3 2 Absolut

 7.1. Size:202K  toshiba
 ssm3j134tu.pdf pdf_icon

SSM3J133TU

SSM3J134TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J134TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit mm Low ON-resistance RDS(ON) = 240 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 93 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.2. Size:208K  toshiba
 ssm3j132tu.pdf pdf_icon

SSM3J133TU

SSM3J132TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J132TU Power Management Switch Applications 1.2-V drive Unit mm Low ON-resistance RDS(ON) = 94 m (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 39 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 29 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 21 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 17 m (max) (@VGS = -4.5

 7.3. Size:186K  toshiba
 ssm3j130tu.pdf pdf_icon

SSM3J133TU

SSM3J130TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J130TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit mm Low ON-resistance RDS(ON) = 63.2 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 m (max) (@VGS = -1.8 V) 2.1 0.1 RDS(ON) = 31.0 m (max) (@VGS = -2.5 V) 1.7 0.1 RDS(ON) = 25.8 m (max) (@VGS = -4.5 V) 1 Absolu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3J114TU, SSM3J115TU, SSM3J117TU, SSM3J118TU, SSM3J120TU, SSM3J129TU, SSM3J130TU, SSM3J132TU, K3569, SSM3J134TU, SSM3J135TU, SSM3J13T, SSM3J14T, SSM3J15CT, SSM3J15FS, SSM3J15FU, SSM3J15FV