SSM3J134TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSM3J134TU
Маркировка: JJM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.7 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.093 Ohm
Тип корпуса: UFM
SSM3J134TU Datasheet (PDF)
ssm3j134tu.pdf

SSM3J134TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J134TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit: mm Low ON-resistance: RDS(ON) = 240 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 93 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
ssm3j132tu.pdf

SSM3J132TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J132TU Power Management Switch Applications 1.2-V driveUnit: mm Low ON-resistance: RDS(ON) = 94 m (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 39 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 29 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 21 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 17 m (max) (@VGS = -4.5
ssm3j130tu.pdf

SSM3J130TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J130TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit: mm Low ON-resistance:RDS(ON) = 63.2 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 m (max) (@VGS = -1.8 V) 2.10.1RDS(ON) = 31.0 m (max) (@VGS = -2.5 V) 1.70.1RDS(ON) = 25.8 m (max) (@VGS = -4.5 V) 1Absolu
ssm3j133tu.pdf

SSM3J133TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J133TU Power Management Switch Applications Unit: mm 1.5V drive2.10.1 Low ON-resistance: RDS(ON) = 88.4 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 56.0 m (max) (@VGS = -1.8 V) 1.70.1RDS(ON) = 39.7 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 29.8 m (max) (@VGS = -4.5 V) 132Absolut
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRFZ24NS | LSF80R680GT | ME2312 | HUFA75309T3ST | S10H16RP | NVBG080N120SC1 | AP9565AGH-HF
History: IRFZ24NS | LSF80R680GT | ME2312 | HUFA75309T3ST | S10H16RP | NVBG080N120SC1 | AP9565AGH-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31