SSM3J134TU. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSM3J134TU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.093 Ohm
Тип корпуса: UFM
Аналог (замена) для SSM3J134TU
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSM3J134TU даташит
ssm3j134tu.pdf
SSM3J134TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J134TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit mm Low ON-resistance RDS(ON) = 240 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 93 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
ssm3j132tu.pdf
SSM3J132TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J132TU Power Management Switch Applications 1.2-V drive Unit mm Low ON-resistance RDS(ON) = 94 m (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 39 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 29 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 21 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 17 m (max) (@VGS = -4.5
ssm3j130tu.pdf
SSM3J130TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J130TU Power Management Switch Applications 1.5 V drive Unit mm Low ON-resistance RDS(ON) = 63.2 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 m (max) (@VGS = -1.8 V) 2.1 0.1 RDS(ON) = 31.0 m (max) (@VGS = -2.5 V) 1.7 0.1 RDS(ON) = 25.8 m (max) (@VGS = -4.5 V) 1 Absolu
ssm3j133tu.pdf
SSM3J133TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J133TU Power Management Switch Applications Unit mm 1.5V drive 2.1 0.1 Low ON-resistance RDS(ON) = 88.4 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 56.0 m (max) (@VGS = -1.8 V) 1.7 0.1 RDS(ON) = 39.7 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 29.8 m (max) (@VGS = -4.5 V) 1 3 2 Absolut
Другие IGBT... SSM3J115TU, SSM3J117TU, SSM3J118TU, SSM3J120TU, SSM3J129TU, SSM3J130TU, SSM3J132TU, SSM3J133TU, IRFP260, SSM3J135TU, SSM3J13T, SSM3J14T, SSM3J15CT, SSM3J15FS, SSM3J15FU, SSM3J15FV, SSM3J15F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31







