SSM3J16FU - аналоги и даташиты транзистора

 

SSM3J16FU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSM3J16FU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT323 SC70 USM
 

 Аналог (замена) для SSM3J16FU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J16FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  toshiba
 ssm3j16fu.pdf pdf_icon

SSM3J16FU

SSM3J16FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM3J16FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol

 6.1. Size:180K  toshiba
 ssm3j16fv.pdf pdf_icon

SSM3J16FU

SSM3J16FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM3J16FV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Small package Unit: mm Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 0.80.05

 6.2. Size:185K  toshiba
 ssm3j16fs.pdf pdf_icon

SSM3J16FU

SSM3J16FS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM3J16FS High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol

 7.1. Size:203K  toshiba
 ssm3j16ct.pdf pdf_icon

SSM3J16FU

SSM3J16CT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM3J16CT High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm0.60.05 Small package 0.50.03 Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM3J14T , SSM3J15CT , SSM3J15FS , SSM3J15FU , SSM3J15FV , SSM3J15F , SSM3J16CT , SSM3J16FS , IRLZ44N , SSM3J16FV , SSM3J304T , SSM3J305T , SSM3J306T , SSM3J307T , SSM3J312T , SSM3J313T , SSM3J314T .

History: IRF9540NPBF | UT150N04

 

 
Back to Top

 


 
.