SSM3K02T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSM3K02T
Маркировка: KU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TSM
SSM3K02T Datasheet (PDF)
ssm3k02t.pdf

SSM3K02T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K02T High Speed Switching Applications Unit: mm Small package Low on resistance: Ron = 200 m (max) (VGS = 4 V) : Ron = 250 m (max) (VGS = 2.5 V) Low gate threshold voltage: Vth = 0.6~1.1 V (VDS = 3 V, ID = 0.1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit
ssm3k02f.pdf

SSM3K02F TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K02F High Speed Switching Applications Unit: mm Small package Low on resistance: Ron = 200 m (max) (VGS = 4 V) : Ron = 250 m (max) (VGS = 2.5 V) Low gate threshold voltage: Vth = 0.6~1.1 V (VDS = 3 V, ID = 0.1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit
ssm3k01f.pdf

SSM3K01F TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K01F High Speed Switching Applications Unit: mm Small package Low on resistance : Ron = 120 m (max) (VGS = 4 V) : Ron = 150 m (max) (VGS = 2.5 V) Low gate threshold voltage: Vth = 0.6~1.1 V (VDS = 3 V, ID = 0.1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Uni
ssm3k05fu.pdf

SSM3K05FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K05FU High Speed Switching Applications Small package Unit: mm Low on resistance : Ron = 0.8 max (@VGS = 4 V) : Ron = 1.2 max (@VGS = 2.5 V) Low gate threshold voltage Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 20 VGate-source
Другие MOSFET... SSM3J36FS , SSM3J36MFV , SSM3J36TU , SSM3J46CTB , SSM3J56MFV , SSM3K01F , SSM3K01T , SSM3K02F , RU6888R , SSM3K05FU , SSM3K09FU , SSM3K101TU , SSM3K102TU , SSM3K104TU , SSM3K105TU , SSM3K106TU , SSM3K107TU .
History: SIB457EDK | CEM3301



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817