SSM3K102TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3K102TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.071 Ohm

Тип корпуса: UFM

Аналог (замена) для SSM3K102TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K102TU даташит

 ..1. Size:251K  toshiba
 ssm3k102tu.pdf pdf_icon

SSM3K102TU

SSM3K102TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K102TU High Speed Switching Applications Unit mm 1.8V drive 2.1 0.1 Low on-resistance Ron = 154m (max) (@VGS = 1.8 V) 1.7 0.1 Ron = 99m (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 71m (max) (@VGS = 4.0 V) Lead(Pb)-free 1 2 3 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit

 7.1. Size:148K  toshiba
 ssm3k104tu.pdf pdf_icon

SSM3K102TU

SSM3K104TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K104TU Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Unit mm Unit mm 1.8 V drive Low ON-resistance Ron = 110 m (max) (@VGS = 1.8 V) 2.1 0.1 Ron = 74 m (max) (@VGS = 2.5 V) 1.7 0.1 Ron = 56 m (max) (@VGS = 4.0 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1

 7.2. Size:366K  toshiba
 ssm3k107tu.pdf pdf_icon

SSM3K102TU

SSM3K107TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K107TU High-Speed Switching Applications Unit mm 4 V drive 2.1 0.1 Low ON-resistance Ron = 410 m (max) (@VGS = 4V) 1.7 0.1 Ron = 200 m (max) (@VGS = 10V) Lead(Pb)-free 1 2 3 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain source voltage VDS 20 V Gate s

 7.3. Size:251K  toshiba
 ssm3k101tu.pdf pdf_icon

SSM3K102TU

SSM3K101TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K101TU High Speed Switching Applications Unit mm 1.8V drive 2.1 0.1 Low on-resistance Ron = 230m (max) (@VGS = 1.8 V) 1.7 0.1 Ron = 138m (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 103m (max) (@VGS = 4.0 V) Lead(Pb)-free 1 2 3 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3J56MFV, SSM3K01F, SSM3K01T, SSM3K02F, SSM3K02T, SSM3K05FU, SSM3K09FU, SSM3K101TU, 7N60, SSM3K104TU, SSM3K105TU, SSM3K106TU, SSM3K107TU, SSM3K116TU, SSM3K119TU, SSM3K121TU, SSM3K122TU