SSM3K15ACT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3K15ACT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm

Тип корпуса: SOT883 CST3

Аналог (замена) для SSM3K15ACT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K15ACT даташит

 ..1. Size:231K  toshiba
 ssm3k15act.pdf pdf_icon

SSM3K15ACT

SSM3K15ACT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15ACT Load Switching Applications Unit mm 2.5 V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDSS 30 V Gate-Source voltage VGSS 2

 6.1. Size:203K  toshiba
 ssm3k15amfv.pdf pdf_icon

SSM3K15ACT

SSM3K15AMFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15AMFV Load Switching Applications Unit mm 2.5 V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) 1.2 0.05 0.8 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1 Characteristics Symbol Rating Unit 3 Drain-Source voltage VDSS 30 V

 6.2. Size:227K  toshiba
 ssm3k15afs.pdf pdf_icon

SSM3K15ACT

SSM3K15AFS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15AFS Load Switching Applications Unit mm 2.5 V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDSS 30 V Gate-Source voltage VGSS 2

 6.3. Size:229K  toshiba
 ssm3k15afu.pdf pdf_icon

SSM3K15ACT

SSM3K15AFU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15AFU Load Switching Applications Unit mm 2.5 V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDSS 30 V Gate-Source voltage VGSS 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3K123TU, SSM3K124TU, SSM3K126TU, SSM3K127TU, SSM3K128TU, SSM3K12T, SSM3K131TU, SSM3K14T, IRF730, SSM3K15AFS, SSM3K15AFU, SSM3K15AMFV, SSM3K15CT, SSM3K15FS, SSM3K15FU, SSM3K15FV, SSM3K15F