Справочник MOSFET. SSM3K15ACT

 

SSM3K15ACT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM3K15ACT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT883 CST3

 Аналог (замена) для SSM3K15ACT

 

 

SSM3K15ACT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  toshiba
 ssm3k15act.pdf

SSM3K15ACT SSM3K15ACT

SSM3K15ACT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15ACT Load Switching Applications Unit: mm 2.5 V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDSS 30 VGate-Source voltage VGSS 2

 6.1. Size:203K  toshiba
 ssm3k15amfv.pdf

SSM3K15ACT SSM3K15ACT

SSM3K15AMFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15AMFV Load Switching Applications Unit: mm 2.5 V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) 1.20.050.80.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1Characteristics Symbol Rating Unit3Drain-Source voltage VDSS 30 V

 6.2. Size:227K  toshiba
 ssm3k15afs.pdf

SSM3K15ACT SSM3K15ACT

SSM3K15AFS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15AFS Load Switching Applications Unit: mm 2.5 V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDSS 30 VGate-Source voltage VGSS 2

 6.3. Size:229K  toshiba
 ssm3k15afu.pdf

SSM3K15ACT SSM3K15ACT

SSM3K15AFU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) SSM3K15AFU Load Switching Applications Unit: mm 2.5 V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDSS 30 VGate-Source voltage VGSS 2

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top