SSM3K15F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM3K15F
Маркировка: DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 8.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: SOT346 SC59 SMINI
SSM3K15F Datasheet (PDF)
ssm3k15f.pdf
SSM3K15F TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K15F High Speed Switching Applications Unit: mmAnalog Switch Applications +0.52.5-0.3+0.25 Small package 1.5-0.15 Low on resistance : Ron = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) 1: Ron = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) 2 3Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrai
ssm3k15fu.pdf
SSM3K15FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K15FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low on resistance : Ron = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 30 VGate-sour
ssm3k15fs .pdf
SSM3K15FS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K15FS High Speed Switching Applications Unit: mmAnalog Switching Applications Compact package suitable for high-density mounting Low ON-resistance : Ron = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDr
ssm3k15fv.pdf
SSM3K15FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K15FV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm1.20.05 Optimum for high-density mounting in small packages 0.80.05 Low on-resistance : RDS(ON) = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) : RDS(ON) = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) 1Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 3Char
ssm3k15fs.pdf
SSM3K15FS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K15FS High Speed Switching Applications Unit: mmAnalog Switching Applications Compact package suitable for high-density mounting Low ON-resistance : R = 4.0 (max) (@V = 4 V) on GS: R = 7.0 (max) (@V = 2.5 V) on GSMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristic Symbol Rating Uni
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918