SSM3K309T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3K309T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: TSM

Аналог (замена) для SSM3K309T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K309T даташит

 ..1. Size:231K  toshiba
 ssm3k309t.pdf pdf_icon

SSM3K309T

SSM3K309T TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K309T Power Management Switch Applications High-Current Switching Applications Unit mm 1.8V drive Low on-resistance Ron = 47m (max) (@VGS = 1.8V) Ron = 35m (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 31m (max) (@VGS = 4.0V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating

 7.1. Size:174K  toshiba
 ssm3k302t.pdf pdf_icon

SSM3K309T

SSM3K302T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K302T Power Management Switch Applications Unit mm High Speed Switching Applications 1.8 V drive Low ON-resistance Ron = 131 m (max) (@VGS = 1.8V) Ron = 87m (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 71 m (max) (@VGS = 4.0V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Dr

 7.2. Size:190K  toshiba
 ssm3k301t.pdf pdf_icon

SSM3K309T

SSM3K301T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K301T Power Management Switch Applications Unit mm High-Speed Switching Applications Unit mm 1.8 V drive Low ON-resistance Ron = 110 m (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 74 m (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 56 m (max) (@VGS = 4.0 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol

 7.3. Size:190K  toshiba
 ssm3k303t.pdf pdf_icon

SSM3K309T

SSM3K303T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K303T High Speed Switching Applications Unit mm 4 V drive Low ON-resistance Ron = 120 m (max) (@VGS = 4V) Ron = 83 m (max) (@VGS = 10V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain source voltage VDS 30 V Gate source voltage VGSS 20 V DC ID 2.9

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3K16CT, SSM3K16FS, SSM3K16FU, SSM3K16FV, SSM3K17FU, SSM3K301T, SSM3K302T, SSM3K303T, AO3400, SSM3K310T, SSM3K315T, SSM3K316T, SSM3K318T, SSM3K320T, SSM3K329R, SSM3K333R, SSM3K35CT