SSM5N15FE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM5N15FE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT553 ESV

Аналог (замена) для SSM5N15FE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM5N15FE даташит

 ..1. Size:153K  toshiba
ssm5n15fe.pdfpdf_icon

SSM5N15FE

SSM5N15FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM5N15FE High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Small package Low ON resistance Ron = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) Ron = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS

 6.1. Size:178K  toshiba
ssm5n15fu.pdfpdf_icon

SSM5N15FE

SSM5N15FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM5N15FU High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Small package Low ON resistance RDS (ON) = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) RDS (ON) = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source vol

 8.1. Size:131K  toshiba
ssm5n16fu.pdfpdf_icon

SSM5N15FE

 8.2. Size:132K  toshiba
ssm5n16fe.pdfpdf_icon

SSM5N15FE

Другие IGBT... SSM3K7002AFU, SSM3K7002BFS, SSM3K7002BFU, SSM3K7002BF, SSM3K7002FU, SSM3K7002F, SSM4K27CT, SSM5N05FU, 12N60, SSM5N15FU, SSM5N16FE, SSM5N16FU, SSM5P05FU, SSM5P15FU, SSM5P16FE, SSM5P16FU, SSM6J06FU