SSM6J401TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM6J401TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm

Тип корпуса: UF6

Аналог (замена) для SSM6J401TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6J401TU даташит

 ..1. Size:197K  toshiba
 ssm6j401tu.pdf pdf_icon

SSM6J401TU

SSM6J401TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM6J401TU DC/DC Converter Application High-Speed Switching Applications unit mm 2.1 0.1 4.0V drive 1.7 0.1 Low ON-resistance RDS(ON) = 145m (max) (@VGS = -4 V) RDS(ON) = 73m (max) (@VGS = -10 V) 1 6 2 5 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 3 4 Characteristic Symbol Rating

 7.1. Size:197K  toshiba
 ssm6j402tu.pdf pdf_icon

SSM6J401TU

SSM6J402TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM6J402TU DC/DC Converter Application High-Speed Switching Applications unit mm 2.1 0.1 4.0 V drive 1.7 0.1 Low ON-resistance RDS(ON) = 225m max (@VGS = -4 V) RDS(ON) = 117m max (@VGS = -10 V) 1 6 2 5 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 3 4 Characteristic Symbol Rating

 7.2. Size:221K  toshiba
 ssm6j409tu.pdf pdf_icon

SSM6J401TU

SSM6J409TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) SSM6J409TU Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Unit mm 1.5V drive Low ON-resistance Ron = 72.3m (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 46.2m (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 30.2m (max) (@VGS = -2.5 V) Ron = 22.1m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolut

 8.1. Size:217K  toshiba
 ssm6j410tu.pdf pdf_icon

SSM6J401TU

SSM6J410TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6J410TU Power Management Switch Applications Unit mm High-Speed Switching Applications 4-V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 393m (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 216m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-Sou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM6J207FE, SSM6J212FE, SSM6J213FE, SSM6J214FE, SSM6J21TU, SSM6J23FE, SSM6J25FE, SSM6J26FE, SI2302, SSM6J402TU, SSM6J409TU, SSM6J410TU, SSM6J412TU, SSM6J501NU, SSM6J502NU, SSM6J503NU, SSM6J50TU