SSM6J502NU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM6J502NU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0231 Ohm

Тип корпуса: UDFN6B

Аналог (замена) для SSM6J502NU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6J502NU даташит

 ..1. Size:236K  toshiba
 ssm6j502nu.pdf pdf_icon

SSM6J502NU

SSM6J502NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS ) SSM6J502NU Power Management Switch Applications Unit mm 1.5V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 60.5 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 38.4 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 28.3 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 23.1 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C

 7.1. Size:240K  toshiba
 ssm6j507nu.pdf pdf_icon

SSM6J502NU

SSM6J507NU MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) SSM6J507NU SSM6J507NU SSM6J507NU SSM6J507NU 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 4 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 20 m (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON) = 28 m (max) (@VGS = -4.5

 7.2. Size:237K  toshiba
 ssm6j503nu.pdf pdf_icon

SSM6J502NU

SSM6J503NU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6J503NU Power Management Switch Applications Unit mm 1.5V drive Low ON-resistance RDS(ON)= 89.6 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 57.9 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 41.7 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 32.4 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C

 7.3. Size:241K  toshiba
 ssm6j50tu.pdf pdf_icon

SSM6J502NU

SSM6J50TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6J50TU High Current Switching Applications Unit mm Compact package suitable for high-density mounting Low on-resistance Ron = 205m (max) (@VGS = -2.0 V) Ron = 100m (max) (@VGS = -2.5 V) Ron = 64m (max) (@VGS = -4.5 V) Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Ra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM6J25FE, SSM6J26FE, SSM6J401TU, SSM6J402TU, SSM6J409TU, SSM6J410TU, SSM6J412TU, SSM6J501NU, STF13NM60N, SSM6J503NU, SSM6J50TU, SSM6J51TU, SSM6J53FE, SSM6K06FU, SSM6K07FU, SSM6K08FU, SSM6K18TU