SSM6K31FE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM6K31FE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: SOT563 ES6

Аналог (замена) для SSM6K31FE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6K31FE даташит

 ..1. Size:93K  toshiba
 ssm6k31fe.pdf pdf_icon

SSM6K31FE

SSM6K31FE Silicon P Channel MOS Type ( -MOS ) SSM6K31FE TENTATIVE High speed switching Unit mm DC-DC Converter small package Low RDS (ON) Ron = 240 m (typ) (@VGS = 10 V) Ron = 400 m (typ) (@VGS = 4 V) Maximum Ratings (Ta = 25 C) MOSFET Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS 20 V Gate-Source voltage VGSS 20 V 1,2,5,6

 8.1. Size:200K  toshiba
 ssm6k34tu.pdf pdf_icon

SSM6K31FE

SSM6K34TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6K34TU High Current Switching Applications Unit mm Power Management Switch Applications 4.5V drive Low on resistance Ron = 77 m (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 50 m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS 30 V Gate

 8.2. Size:261K  toshiba
 ssm6k30fe.pdf pdf_icon

SSM6K31FE

SSM6K30FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS VII) SSM6K30FE High-speed switching Unit mm DC-DC Converter Small package Low RDS (ON) RDS(ON) = 210 m (max) (@VGS = 10 V) R DS(ON) = 420 m (max) (@VGS = 4 V) High-speed switching ton = 19 ns (typ.) toff = 10 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1,2,5,6

 8.3. Size:819K  toshiba
 ssm6k32tu.pdf pdf_icon

SSM6K31FE

SSM6K32TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6K32TU Unit mm Relay drive, DC/DC converter application 4Vdrive Low on resistance Ron = 440m (max) (@VGS = 4 V) Ron = 300m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS 60 V Gate-Source voltage VGSS 20 V DC ID 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM6K204FE, SSM6K208FE, SSM6K210FE, SSM6K211FE, SSM6K22FE, SSM6K24FE, SSM6K25FE, SSM6K30FE, EMB04N03H, SSM6K32TU, SSM6K34TU, SSM6K403TU, SSM6K404TU, SSM6K405TU, SSM6K406TU, SSM6K407TU, SSM6K411TU