Справочник MOSFET. SSM6K31FE

 

SSM6K31FE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM6K31FE
   Маркировка: KB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: SOT563 ES6

 Аналог (замена) для SSM6K31FE

 

 

SSM6K31FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  toshiba
 ssm6k31fe.pdf

SSM6K31FE SSM6K31FE

SSM6K31FE Silicon P Channel MOS Type (-MOS) SSM6K31FE TENTATIVE High speed switching Unit: mm DC-DC Converter small package Low RDS (ON) : Ron = 240 m (typ) (@VGS = 10 V) : Ron = 400 m (typ) (@VGS = 4 V) Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 20 VGate-Source voltage VGSS 20 V 1,2,5,6 :

 8.1. Size:200K  toshiba
 ssm6k34tu.pdf

SSM6K31FE SSM6K31FE

SSM6K34TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6K34TU High Current Switching Applications Unit: mmPower Management Switch Applications 4.5V drive Low on resistance: :Ron = 77 m (max) (@VGS = 4.5 V) :Ron = 50 m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 30 VGate

 8.2. Size:261K  toshiba
 ssm6k30fe.pdf

SSM6K31FE SSM6K31FE

SSM6K30FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS VII) SSM6K30FE High-speed switching Unit: mm DC-DC Converter Small package Low RDS (ON): RDS(ON) = 210 m (max) (@VGS = 10 V) : R DS(ON) = 420 m (max) (@VGS = 4 V) High-speed switching: ton = 19 ns (typ.) : toff = 10 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1,2,5,6

 8.3. Size:819K  toshiba
 ssm6k32tu.pdf

SSM6K31FE SSM6K31FE

SSM6K32TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6K32TU Unit: mm Relay drive, DC/DC converter application 4Vdrive Low on resistance: Ron = 440m (max) (@VGS = 4 V) Ron = 300m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 60 VGate-Source voltage VGSS 20 VDC ID 2

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top