Справочник MOSFET. SSM6L35FU

 

SSM6L35FU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM6L35FU
   Маркировка: LL3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT363 SC88 US6

 Аналог (замена) для SSM6L35FU

 

 

SSM6L35FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  toshiba
 ssm6l35fu.pdf

SSM6L35FU SSM6L35FU

SSM6L35FU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L35FU High-Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications N-ch: 1.2-V drive P-ch: 1.2-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 20 (max) (@VGS = 1.2 V) : Ron = 8 (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 4 (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 3

 6.1. Size:218K  toshiba
 ssm6l35fe.pdf

SSM6L35FU SSM6L35FU

SSM6L35FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L35FE High-Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications 1.60.051.20.05 N-ch: 1.2-V drive P-ch: 1.2-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 20 (max) (@VGS = 1.2 V) 25: Ron = 8 (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 4 (max) (

 8.1. Size:232K  toshiba
 ssm6l36tu.pdf

SSM6L35FU SSM6L35FU

SSM6L36TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36TU Unit: mm High-Speed Switching Applications 2.10.1 1.70.1 1.5-V drive Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) 1 6 Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) 2 5 Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) 3 4Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63 (max) (@VGS =

 8.2. Size:222K  toshiba
 ssm6l36fe.pdf

SSM6L35FU SSM6L35FU

SSM6L36FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36FE High-Speed Switching Applications Unit: mm1.60.05 1.5-V drive1.20.05 Low ON-resistance Q1 Nch: Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) 1 6Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63 (max) (@VGS = 5.0 V) 2

 8.3. Size:244K  toshiba
 ssm6l39tu.pdf

SSM6L35FU SSM6L35FU

SSM6L39TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L39TU Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Unit: mm2.10.1 N-ch: 1.5-V drive 1.70.1P-ch: 1.8-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 247 m (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 190 m (max) (@VGS = 1.8 V) 2 5Ron = 139 m

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SFG08S06GF | FQA11N90F109 | SWB046R68E8T

 

 
Back to Top