SSM6L36FE
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM6L36FE
Маркировка: LL4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.5
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 1.23
nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 10.8
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.63
Ohm
Тип корпуса:
SOT563
ES6
Аналог (замена) для SSM6L36FE
SSM6L36FE
Datasheet (PDF)
..1. Size:222K toshiba
ssm6l36fe.pdf 
SSM6L36FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36FE High-Speed Switching Applications Unit: mm1.60.05 1.5-V drive1.20.05 Low ON-resistance Q1 Nch: Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) 1 6Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63 (max) (@VGS = 5.0 V) 2
7.1. Size:232K toshiba
ssm6l36tu.pdf 
SSM6L36TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36TU Unit: mm High-Speed Switching Applications 2.10.1 1.70.1 1.5-V drive Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) 1 6 Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) 2 5 Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) 3 4Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63 (max) (@VGS =
8.1. Size:244K toshiba
ssm6l39tu.pdf 
SSM6L39TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L39TU Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Unit: mm2.10.1 N-ch: 1.5-V drive 1.70.1P-ch: 1.8-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 247 m (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 190 m (max) (@VGS = 1.8 V) 2 5Ron = 139 m
8.2. Size:218K toshiba
ssm6l35fe.pdf 
SSM6L35FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L35FE High-Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications 1.60.051.20.05 N-ch: 1.2-V drive P-ch: 1.2-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 20 (max) (@VGS = 1.2 V) 25: Ron = 8 (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 4 (max) (
8.3. Size:224K toshiba
ssm6l35fu.pdf 
SSM6L35FU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L35FU High-Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications N-ch: 1.2-V drive P-ch: 1.2-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 20 (max) (@VGS = 1.2 V) : Ron = 8 (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 4 (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 3
Другие MOSFET... FMM50-025TF
, FMM60-02TF
, FMM75-01F
, FMP26-02P
, FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, RFP50N06
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, GMM3x180-004X2-SMD
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
.
