SSM6N42FE
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM6N42FE
Маркировка: NN4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.8
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 2
nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 21
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24
Ohm
Тип корпуса:
SOT563
ES6
Аналог (замена) для SSM6N42FE
SSM6N42FE
Datasheet (PDF)
..1. Size:187K toshiba
ssm6n42fe.pdf 
SSM6N42FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM6N42FE Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications : mm1.60.05 1.5V drive 1.20.05 N-ch 2-in-1 ES6 Low ON-resistance : RDS(ON) = 600 m (max) (@VGS = 1.5V) 1 6: RDS(ON) = 450 m (max) (@VGS = 1.8V) : RDS(ON) = 330 m (max) (@VGS = 2.5V)
8.1. Size:176K toshiba
ssm6n48fu.pdf 
SSM6N48FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) SSM6N48FU Load Switching Applications Unit: mm 2.5-V drive N-ch 2-in-1 Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.2 (max) (@VGS = 4.0 V) RDS(ON) = 5.4 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDSS 30
8.2. Size:147K toshiba
ssm6n44fe.pdf 
SSM6N44FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N44FE High Speed Switching Applications Unit: mmAnalog Switching Applications 1.60.05 Compact package suitable for high-density mounting 1.20.05 Low ON-resistance : RDS(ON) = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) : RDS(ON) = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) 1 6Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 25
8.3. Size:206K toshiba
ssm6n40tu.pdf 
SSM6N40TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N40TU Power Management Switch Applications Unit: mm2.10.1 High-Speed Switching Applications 1.70.1 4 V drive N-ch 2-in-1 1 6 Low ON-resistance: Ron = 182m (max) (@VGS = 4 V) 2 5Ron = 122m (max) (@VGS = 10 V) 3 4Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common)
8.4. Size:201K toshiba
ssm6n43fu.pdf 
SSM6N43FU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N43FU High-Speed Switching Applications Unit: mm 1.5-V drive Low ON-resistance : RDS(ON) = 1.52 (max) (@VGS = 1.5V) : RDS(ON) = 1.14 (max) (@VGS = 1.8V) : RDS(ON) = 0.85 (max) (@VGS = 2.5V) : RDS(ON) = 0.66 (max) (@VGS = 4.5V) : RDS(ON) = 0.63 (max) (@VGS = 5.0V) Absolut
8.5. Size:153K toshiba
ssm6n44fu.pdf 
SSM6N44FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N44FU High Speed Switching Applications Unit: mmAnalog Switching Applications Compact package suitable for high-density mounting Low ON-resistance : RDS(ON) = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) : RDS(ON) = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characterist
Другие MOSFET... WPB4002
, FDM15-06KC5
, FQD2N60CTM
, FDM47-06KC5
, FDPF045N10A
, FMD15-06KC5
, FDMS8672S
, FMD21-05QC
, IRFP250N
, FDMS86368F085
, FMD47-06KC5
, FDBL86361F085
, FMK75-01F
, FMM110-015X2F
, FMM150-0075X2F
, FMM22-05PF
, FMM22-06PF
.
