SSM6P16FU
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM6P16FU
Маркировка: DT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.1
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Cossⓘ - Выходная емкость: 10
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8
Ohm
Тип корпуса:
SOT363
SC88
US6
Аналог (замена) для SSM6P16FU
SSM6P16FU
Datasheet (PDF)
..1. Size:185K toshiba
ssm6p16fu.pdf SSM6P16FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM6P16FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Char
6.1. Size:197K toshiba
ssm6p16fe.pdf SSM6P16FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM6P16FE High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Small package Unit: mm Low on-resistance : R 8 (max) (@VGS 4 V) DS(ON) : R 12 (max) (@VGS 2.5 V) DS(ON): R 45 (max) (@VGS 1.5 V) DS(ON)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
8.1. Size:209K toshiba
ssm6p15fe.pdf SSM6P15FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P15FE High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low ON resistance : Ron = 12 (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 32 (max) (@VGS = -2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -30
8.2. Size:186K toshiba
ssm6p15fu.pdf SSM6P15FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P15FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low ON resistance : Ron = 12 (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 32 (max) (@VGS = -2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -3
Другие MOSFET... WPB4002
, FDM15-06KC5
, FQD2N60CTM
, FDM47-06KC5
, FDPF045N10A
, FMD15-06KC5
, FDMS8672S
, FMD21-05QC
, IRFP250N
, FDMS86368F085
, FMD47-06KC5
, FDBL86361F085
, FMK75-01F
, FMM110-015X2F
, FMM150-0075X2F
, FMM22-05PF
, FMM22-06PF
.