SSM6P47NU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSM6P47NU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: UDFN6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SSM6P47NU Datasheet (PDF)
ssm6p47nu.pdf

SSM6P47NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS VI) SSM6P47NU Power Management Switch Applications Unit: mm2.00.1B 1.5V drive A Low ON-resistance:RDS(on) = 242 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(on) = 170 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(on) = 125 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(on) = 95 m (max) (@VGS = -4.5 V) 00.05Absolute Maximum
ssm6p41fe.pdf

SSM6P41FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS-V) SSM6P41FE Power Management Switches 1.5-V drive Low on-resistance : RDS(ON) = 1.04 (max) (@VGS = -1.5 V) Unit: mm: RDS(ON) = 0.67 (max) (@VGS = -1.8 V) 1.60.05: RDS(ON) = 0.44 (max) (@VGS = -2.5 V) 1.20.05: RDS(ON) = 0.30 (max) (@VGS = -4.5 V) 1 6Absolute Maximum R
ssm6p49nu.pdf

SSM6P49NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P49NU Power Management Switch Applications Unit: mm2.00.1B 1.8V drive A Low ON-resistance: RDS(on) = 157 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(on) = 76 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(on) = 56 m (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(on) = 45 m (max) (@VGS = -10V) 00.05Absolute Maximum Ratings (Ta =
ssm6p40tu.pdf

SSM6P40TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P40TU Power Management Switch Applications Unit: mm2.10.1 High-Speed Switching Applications 1.70.1 4.0 V drive P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance: Ron = 403m (max) (@VGS = 4 V) 2 5Ron = 226m (max) (@VGS = 10 V) 3 4Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1,Q2 C
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: TK3A60DA | BSS214NW | APL602J
History: TK3A60DA | BSS214NW | APL602J



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115