TJ15S06M3L - аналоги и даташиты транзистора

 

TJ15S06M3L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TJ15S06M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TJ15S06M3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ15S06M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tj15s06m3l.pdf pdf_icon

TJ15S06M3L

TJ15S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ15S06M3LTJ15S06M3LTJ15S06M3LTJ15S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 38.5 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage curren

 9.1. Size:232K  toshiba
 tj15s10m3.pdf pdf_icon

TJ15S06M3L

TJ15S10M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ15S10M3TJ15S10M3TJ15S10M3TJ15S10M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -1

Другие MOSFET... SSM6P41FE , SSM6P47NU , SSM6P49NU , SSM6P54TU , TJ10S04M3L , TJ11A10M3 , TJ150F06M3L , TJ15P04M3 , 7N60 , TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , TJ60S06M3L , TJ70A06J3 .

History: KND4360A | BL80N20L-F | IXTA160N075T7 | CMPF4416A | AON6554 | IPD26N06S2L-35

 

 
Back to Top

 


 
.