Справочник MOSFET. TJ15S06M3L

 

TJ15S06M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ15S06M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ15S06M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tj15s06m3l.pdf pdf_icon

TJ15S06M3L

TJ15S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ15S06M3LTJ15S06M3LTJ15S06M3LTJ15S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 38.5 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage curren

 9.1. Size:232K  toshiba
 tj15s10m3.pdf pdf_icon

TJ15S06M3L

TJ15S10M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ15S10M3TJ15S10M3TJ15S10M3TJ15S10M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AFP2309 | AP6N090Y | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | TPCA8107-H

 

 
Back to Top

 


 
.