TJ15S06M3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TJ15S06M3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TJ15S06M3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ15S06M3L даташит

 ..1. Size:243K  toshiba
 tj15s06m3l.pdf pdf_icon

TJ15S06M3L

TJ15S06M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ15S06M3L TJ15S06M3L TJ15S06M3L TJ15S06M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 38.5 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage curren

 9.1. Size:232K  toshiba
 tj15s10m3.pdf pdf_icon

TJ15S06M3L

TJ15S10M3 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ15S10M3 TJ15S10M3 TJ15S10M3 TJ15S10M3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 100 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -1

Другие IGBT... SSM6P41FE, SSM6P47NU, SSM6P49NU, SSM6P54TU, TJ10S04M3L, TJ11A10M3, TJ150F06M3L, TJ15P04M3, AO3407, TJ20A10M3, TJ20S04M3L, TJ30S06M3L, TJ40S04M3L, TJ50S06M3L, TJ60S04M3L, TJ60S06M3L, TJ70A06J3