TJ60S04M3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TJ60S04M3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TJ60S04M3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ60S04M3L даташит

 ..1. Size:241K  toshiba
 tj60s04m3l.pdf pdf_icon

TJ60S04M3L

TJ60S04M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ60S04M3L TJ60S04M3L TJ60S04M3L TJ60S04M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current

 8.1. Size:240K  toshiba
 tj60s06m3l.pdf pdf_icon

TJ60S04M3L

TJ60S06M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ60S06M3L TJ60S06M3L TJ60S06M3L TJ60S06M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.6 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current

Другие IGBT... TJ150F06M3L, TJ15P04M3, TJ15S06M3L, TJ20A10M3, TJ20S04M3L, TJ30S06M3L, TJ40S04M3L, TJ50S06M3L, IRFZ24N, TJ60S06M3L, TJ70A06J3, TJ80S04M3L, TJ8S06M3L, TK100F04K3, TK100F06K3, TK10A50D, TK10A55D