TK10A55D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK10A55D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK10A55D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10A55D даташит

 ..1. Size:189K  toshiba
 tk10a55d.pdf pdf_icon

TK10A55D

TK10A55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK10A55D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.56 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vth

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk10a55d.pdf pdf_icon

TK10A55D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK10A55D ITK10A55D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.56 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.1. Size:197K  toshiba
 tk10a50d.pdf pdf_icon

TK10A55D

TK10A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK10A50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.62 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 5.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 8.2. Size:251K  toshiba
 tk10a50w.pdf pdf_icon

TK10A55D

TK10A50W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK10A50W TK10A50W TK10A50W TK10A50W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TJ60S04M3L, TJ60S06M3L, TJ70A06J3, TJ80S04M3L, TJ8S06M3L, TK100F04K3, TK100F06K3, TK10A50D, IRF1405, TK10A60D, TK10S04K3L, TK10X40D, TK11A45D, TK11A50D, TK11A55D, TK11A60D, TK11A65D