Справочник MOSFET. TK13J65U

 

TK13J65U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK13J65U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK13J65U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  toshiba
 tk13j65u.pdf pdf_icon

TK13J65U

TK13J65UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK13J65UTK13J65UTK13J65UTK13J65U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.32 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.0 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 4N65KL-T2Q-R | SQ2361ES | TMD7N65H | PK5V8EN | TK3A60DA | UT60T03

 

 
Back to Top

 


 
.