TK13J65U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK13J65U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P

Аналог (замена) для TK13J65U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK13J65U даташит

 ..1. Size:234K  toshiba
 tk13j65u.pdf pdf_icon

TK13J65U

TK13J65U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK13J65U TK13J65U TK13J65U TK13J65U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.32 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 8.0 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

Другие IGBT... TK13A45D, TK13A50DA, TK13A50D, TK13A55DA, TK13A60D, TK13A65D, TK13A65U, TK13E25D, IRFB4110, TK13P25D, TK14A45DA, TK14A45D, TK14A55D, TK150F04K3, TK15A20D, TK15A50D, TK15A60D