TK15A50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK15A50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK15A50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK15A50D даташит

 ..1. Size:188K  toshiba
 tk15a50d.pdf pdf_icon

TK15A50D

TK15A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK15A50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.24 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abs

 ..2. Size:257K  inchange semiconductor
 tk15a50d.pdf pdf_icon

TK15A50D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK15A50D ITK15A50D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.24 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.1. Size:232K  toshiba
 tk15a20d.pdf pdf_icon

TK15A50D

TK15A20D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK15A20D TK15A20D TK15A20D TK15A20D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.12 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 200 V) (3) Enhancement mode Vth =

 9.2. Size:189K  toshiba
 tk15a60d.pdf pdf_icon

TK15A50D

TK15A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK15A60D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.31 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK13E25D, TK13J65U, TK13P25D, TK14A45DA, TK14A45D, TK14A55D, TK150F04K3, TK15A20D, AON6414A, TK15A60D, TK15A60U, TK15E60U, TK15J50D, TK15J60U, TK15X60U, TK16A45D, TK16A55D