Справочник MOSFET. TK15J60U

 

TK15J60U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK15J60U
   Маркировка: K15J60U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
   Время нарастания (tr): 37 ns
   Выходная емкость (Cd): 2300 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P

 Аналог (замена) для TK15J60U

 

 

TK15J60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  toshiba
tk15j60u.pdf

TK15J60U TK15J60U

TK15J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15J60U Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.24 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V

 9.1. Size:184K  toshiba
tk15j50d.pdf

TK15J60U TK15J60U

TK15J50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK15J50D Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top