TK20A60U. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK20A60U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220SIS
Аналог (замена) для TK20A60U
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TK20A60U даташит
tk20a60u.pdf
TK20A60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK20A60U Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.165 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
tk20a60u.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK20A60U, ITK20A60U FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.165 (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION S
tk20a60w5.pdf
TK20A60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20A60W5 TK20A60W5 TK20A60W5 TK20A60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.15 (typ.) by used to Super Junction Str
tk20a60w.pdf
TK20A60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20A60W TK20A60W TK20A60W TK20A60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En
Другие IGBT... TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V, TK19A45D, TK19J55D, TK1P90A, TK1Q90A, TK20A25D, SPP20N60C3, TK20E60U, TK20J50D, TK20J60U, TK20P04M1, TK20S04K3L, TK20S06K3L, TK20X60U, TK25A10K3
History: NCE3407
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830




