TK40A10J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK40A10J1

Маркировка: K40A10J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 76 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK40A10J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40A10J1 даташит

 ..1. Size:177K  toshiba
 tk40a10j1.pdf pdf_icon

TK40A10J1

TK40A10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK40A10J1 Switching Regulator Applications Unit mm Small gate charge Qg = 76nC (typ.) Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 11.5 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 90 S Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) Enhancement m

 7.1. Size:233K  toshiba
 tk40a10n1.pdf pdf_icon

TK40A10J1

TK40A10N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK40A10N1 TK40A10N1 TK40A10N1 TK40A10N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.8 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) (3) Enha

 7.2. Size:202K  toshiba
 tk40a10k3.pdf pdf_icon

TK40A10J1

TK40A10K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK40A10K3 Switching Regulator Application Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 11.5 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 80 S Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) Enhancement-mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M

 7.3. Size:252K  inchange semiconductor
 tk40a10n1.pdf pdf_icon

TK40A10J1

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK40A10N1 ITK40A10N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.2m (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK30J25D, TK30S06K3L, TK35S04K3L, TK3A60DA, TK3A65DA, TK3A65D, TK3P50D, TK40A08K3, 10N65, TK40A10K3, TK40F08K3, TK40J20D, TK40J60T, TK40J60U, TK40M60U, TK40P03M1, TK40P04M1